硅二级管的死区电压约为（）

硅二极管的死区电压约为（） 硅二极管的死区电压约为（） 一般来讲，硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压。() 一般来说，硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压（） 硅材料二极管的死区电压为（） 普通硅二极管的死区电压为()。   硅半导体二极管的死区电压约为（）。 硅材料二极管的死区电压为（）V。 单40、硅二极管的死区电压为（） 硅材料二极管的死区电压为（）V 硅管的死区电压为05V，锗管的死区电压为（） 二极管的伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压？硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少？ 通常硅管的死区电压约为（） 通常硅管的死区电压为（） 硅管的死区电压约为（）,锗管的死区电压约为（）;硅管的正向压降约为（）,锗管的正向压降约为（）。 一般来说，硅晶体二极管的死区电压大于锗晶体二极管的死区电压。 晶体二极管具有正向特性，硅管的死区电压为（）。 晶体二极管具有正向特性，硅管的死区电压为（） 硅材料二极管的死区电压为0.3V。 硅管的死区电压约为1V