如果改变晶体管基极电压的极性，使发射结由正偏导通改为反偏，则集电极电流（　 ）

晶体管工作在饱和区发射结处于正向偏置，集电结也处于正偏。晶体管集—射极的电压很小。() 晶体三极管放大状态的外部条件是发射结正偏、集电结反偏且发射结正偏电压必须大于死区电压（） 晶体管工作在（）状态时，发射结正偏，集电结反偏。 晶体管符号中的箭头表示发射结导通时电流的方向。 三极管处于截止状态的条件是晶体管的发射结正偏。（） 三极管处于截止状态的条件是晶体管的发射结正偏（） 为使晶体管可靠地处于截止状态时，它的集电结（）偏，发射结（）偏。 若晶体三极管的集电结反偏、发射结正偏则当基极电流减小时，使该三极管：()。 若晶体三极管的集电结反偏、发射结正偏则当基极电流诚小时，使该三极管（） 基极电阻Rb使发射结处于正偏,并提供大小适当的基极电流 晶体管具有放大作用时，它的集电结（）偏，发射结（）偏。 晶体管处于饱和状态时，它的集电结（）偏，发射结（）偏。 晶体三极管的发射结正偏 晶体管工作在放大状态时，发射结正偏，对于硅管约为（），锗管约为0.3V。 晶体管工作在放大状态时，发射结正偏，对于硅管约为0.7V，锗管约为（）。 当晶体管的发射结与集电结都处于正相偏置时晶体管将工作在（） 发射结正偏，集电结反偏是晶体管工作在区的外部条件（） 晶体管工作在放大状态时，发射结正偏，对于硅管约为（）V，锗管约为0.3V 晶体管工作在放大状态时，发射结正偏，对于硅管约为（）V，锗管约为0.3V。 单结晶体管当发射极与基极b;之间的电压超过峰点电压U，时，单结晶体管导通（）