若晶体三极管的集电结反偏、发射结正偏则当基极电流诚小时，使该三极管（）

晶体三极管电流放大的偏置条件是发射结正偏，集电结（）。 晶体三极管放大状态的外部条件是发射结正偏、集电结反偏且发射结正偏电压必须大于死区电压（） 当三极管的发射结正偏，集电结反偏时，三极管处于状态（） 中国大学MOOC: 晶体三极管在放大状态下有：发射结正偏，集电结反偏。 当晶体三极管发射结反偏，集电极反偏时，晶体三极管的工作状态是（）。 三极管的发射结正偏，集电结反偏时，三极管处于（ ）。 晶体三极管的发射结正偏 当三极管的发射结正偏，集电结正偏时，三极管处于 当三极管的集电结处于正偏，发射结处于反偏时，三极管处于状态 三极管的放大条件：发射结反偏、集电结正偏（） 三极管的饱和条件：发射结反偏、集电结正偏（） 三极管的截止条件：发射结反偏、集电结正偏（） 晶体三极管用于放大时，必须发射结正偏，集电结也正偏（） 晶体三极管的发射结为正偏置，集电结为正偏时，晶体三极管处于（）工作状态 三极管的发射结正偏，集电结反偏的区域为( )。 三极管发射结零偏或反偏，集电结反偏，该三极管处于（）。 当三极管的发射结正偏且大于开启电压，集电结反偏时，三极管处于（）状态。 晶体三极管放大工作区的特点是：发射结反偏，集电结正偏，具有放大电的作用（） 晶体三极管发射结反偏置、集电结反偏置,晶体三极管处于工作状态（） 三极管处于截止工作状态时，发射结正偏，集电结反偏（）