晶体三极管放大状态的外部条件是发射结正偏、集电结反偏且发射结正偏电压必须大于死区电压（）

三极管放大区的放大条件为发射结正偏，集电结反偏。 一个NPN三极管发射结和集电结都处于正偏，则此三极管处于 状态；其发射结和集电结都处于反偏时，此三极管处于 状态；当发射结正偏、集电结反偏时，三极管为 状态 三极管共发射极放大电路中，为保证三极管放大状态，发射结反偏，集电结正偏（） 三极管处于放大工作状态时，发射结正偏，集电结反偏（） 三极管的发射结正偏、集电结正偏时，三极管处于放大状态（） 晶体三极管用于放大时，必须发射结正偏，集电结也正偏（） 晶体三极管放大工作区的特点是：发射结反偏，集电结正偏，具有放大电的作用（） 三极管的饱和条件：发射结反偏、集电结正偏（） 三极管的截止条件：发射结反偏、集电结正偏（） 若晶体三极管的集电结反偏、发射结正偏则当基极电流减小时，使该三极管：()。 若晶体三极管的集电结反偏、发射结正偏则当基极电流诚小时，使该三极管（） 当晶体三极管发射结反偏，集电极反偏时，晶体三极管的工作状态是（）。 当三极管的发射结正偏，集电结反偏时，三极管处于状态（） 晶体三极管的发射结为正偏置，集电结为正偏时，晶体三极管处于（）工作状态 三极管的发射结正偏，集电结反偏时，三极管处于（ ）。 晶体三极管的发射结正偏 三极管处于截止工作状态时，发射结正偏，集电结反偏（） 三极管处于饱和工作状态时，发射结正偏，集电结反偏（） 三极管放大区的放大条件为发射结反偏或零偏，集电结反偏。 三极管工作在放大状态的条件是:发射结正偏，集电结正偏