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IGBT综合了MOSFET和GTR的优点,具有输入阻抗高、工作速度快、通态电压低、阻断电压高、承受电流大的优点()
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IGBT综合了MOSFET和GTR的优点,具有输入阻抗高、工作速度快、通态电压低、阻断电压高、承受电流大的优点()
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在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中,开关速度最快的是(),单管输出功率最大的是(),应用最为广泛的是()。
在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中,开关速度最快的是__,单管输出功率最大的是__,应用最为广泛的是__
IGBT是电力MOSFET和GTO器件的复合。???????????????? ( ?? )
功率MOSFET的驱动电路比GTR的简单()
GTO代表,GTR代表(C),IGBT代表()
P-MOSFET的热稳定性优于GTR。
IGBT的开关速度要高于电力MOSFET。()
IGBT的开关速度要高于电力MOSFET()
电力场效应管MOSFET与电力晶体管GTR比较具有如下特点,即()
GTO、GTR、IGBT均属于全控型器件()
GTO、GTR、IGBT均属于全控型器件()
IGBT的开关速度速度要高于电力MOSFET()
18、GTO、GTR、SCR、IGBT均属于全控型器件。????? ?????????(?? )
由于IGBT中双极型PNP型晶体管的存在,使IGBT的开关速度电力MOSFET()
已获广泛应用的全控型电力电子器件有电力晶体管GTR、可关断晶体管GTO、电力()晶体管MOSFET、绝缘删双极型晶体管IGBT和场控晶闸管MCT等
MOSFET的优点是()
IGBT属于电压控制型功率器件,它具有的优点()
IGBT 相比MOSFET,其通态电阻较大,因而导通损耗也较大。
对GTR,IGBT的过电流保护,不可以采用快速熔断器()
功率开关器件:主要采用()或();现在已经采用一种新型的开关组合方式:MOSFET和IGBT()。
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