IGBT是电力MOSFET和GTO器件的复合。???????????????? ( ?? )

IGBT的开关速度要高于电力MOSFET。（) IGBT的开关速度要高于电力MOSFET（） IGBT是MOSFET和GTR复合的产物，具有GTR的异通特性和MOSFET的驱动特性，下列哪项属于它的特性（） IGBT器件是一种复合器件，它兼有功率MOSFET和双极型器件的开关速度快、安全工作区宽、驱动功率小、耐压高、载流能力大等优点（） IGBT的开关速度速度要高于电力MOSFET（） 在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是（），单管输出功率最大的是（），应用最为广泛的是（）。 在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是__，单管输出功率最大的是__，应用最为广泛的是__ GTO是电压控制型电力电子器件（） IGBT 是哪两种器件的复合。 IGBT是下列哪种器件组成的复合管（） IGBT由两种器件复合而成 IGBT实际是以GTR为主导，以MOSFET为驱动元件的复合管 功率开关器件：主要采用（）或（）；现在已经采用一种新型的开关组合方式：MOSFET和IGBT（）。 场效应管控制晶体管简称MCT，是由MOFET管和GTO管复合而成的一种电力电子器件（） IGBT是一个复合型的器件,它是( ) IGBT是一种复合型的器件,它是 由于IGBT中双极型PNP型晶体管的存在，使IGBT的开关速度电力MOSFET（） IGBT是电流控制型电力电子器件（） 电力场效应晶体管MOSFET是（）器件。 GTO代表,GTR代表（C）,IGBT代表（）