电力场效应管MOSFET与电力晶体管GTR比较具有如下特点，即（）

电力场效应管MOSFET适于在（ ）条件下工作。 电力场效应管MOSFET是理想的()控制器件。 电力场效应管MOSFET是理想的()控制器件。 电力场效应晶体管MOSFET在使用时要防止静电击穿（） 电力场效应晶体管MOSFET在使用时要防止静电击穿。 电力晶体管的开关频率（）电力场效应晶体管的开关频率（） 电力场效应管MOSFET在使用时要防止静电击穿。 电力场效应管指的是（） 电力场效应管属于（） 电力晶体管的开关频率（）电力磁场效应管的开关频率 电力场效应晶体管MOSFET相对而言，更适于在条件下工作（） 电力场效应管是指（ ） 绝缘栅双级晶体管的开关速度（）电力场效应晶体管。 与晶体管相比，场效应管具有哪些优点？ 与晶体管相比，场效应管具有哪些优点 电力场效应管MOSEFT是器件（） 电力场效应晶体管适用于（）的设备。 电力场效应晶体管属于双极型器件。 与双极型晶体管比较，场效应管放大能力弱。() 电力场效应晶体管是理想的（）控制型器件