在杂质半导体中,少子浓度主要取决于

在杂质半导体中少子的浓度只与温度有关，而与掺杂浓度无关 杂质半导体的少数载流子数量取决于温度（） 在掺杂半导体中，少子的浓度受()的影响很大。 在掺杂半导体中，少子的浓度则受 的影响很大（） 杂质半导体中( )的浓度对温度敏感 对于同一种半导体材料其电子浓度和空穴浓度的乘积与（）有关，而对于不同的半导体材料其浓度积在一定的温度下将取决于（）的大小。 N型半导体中，掺入高浓度的三价杂质可以改型为P型半导体。（? ? ? ） 在P型半导体中（）为少子. 离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的（）。 在杂质半导体中,多数载流子的浓度与( )有关 温度升高时，杂质半导体中的多子浓度明显增加。() 因半导体中掺加的杂质不同，含杂质半导体可分为（）型半导体和（）型半导体两类（） 随着温度的升高，在杂质半导体中，少数载流子的浓度____ 室温附近，当温度升高时，杂质半导体中（???）浓度明显增加。 在纯净的半导体中掺入不同的杂质，可形成两种不同的杂质半导体，即N型半导体和（）半导体。 N型半导体中电子是少子，空穴是多子。 因掺入杂质性质不同，杂质半导体可为半导体和 半导体两大类 迁移率是反映半导体中载流子导电能力的重要参数。掺杂半导体的电导率一方面取决于掺杂的浓度，另一方面取决于迁移率的大小。同样的掺杂浓度，载流子的迁移率越大，材料的电导率就越高。（） 城区中臭氧浓度的高低，主要取决于什么？ 在半导体中掺人微量的有用杂质，制成掺杂半导体。掺杂半导体有（）。