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在杂质半导体中少子的浓度只与温度有关,而与掺杂浓度无关
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在杂质半导体中少子的浓度只与温度有关,而与掺杂浓度无关
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半导体材料的载流子浓度与温度有关。
温度升高时,杂质半导体中的多子浓度明显增加。()
随着温度的升高,在杂质半导体中,少数载流子的浓度____
室温附近,当温度升高时,杂质半导体中(???)浓度明显增加。
掺杂半导体是掺入杂质的半导体()
电离度与浓度关系是,电离度只与温度有关,而与溶液的浓度无关()
在杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度,而少数载流子的浓度则与有很大关系()
杂质半导体中,多数载流子浓度主要取决于
杂质半导体中多数载流子的浓度取决于()
杂质半导体中多数载流子浓度取决于(),少数载流子浓度取于()
N型半导体中,掺入高浓度的三价杂质可以改型为P型半导体。(? ? ? )
掺杂半导体中,载流子的浓度会影响载流子的迁移率。不论是空穴还是自由电子,在低杂质浓度下迁移率都,在高浓度下达到()
中国大学MOOC: 在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于温度。
杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于( )
在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于()
在杂质半导体中,少数载流子浓度主要取决于()
扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的,杂质浓度大,扩散电流大;杂质浓度小,扩散电流小()
扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的,即杂质浓度大,扩散电流大;杂质浓度小,扩散电流小。
扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的,即杂质浓度大,扩散电流大;杂质浓度小,扩散电流小。
扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的,即杂质浓度大,扩散电流大;杂质浓度小,扩散电流小()
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