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在掺杂半导体中,少子的浓度受()的影响很大。
单选题
在掺杂半导体中,少子的浓度受()的影响很大。
A. 温度
B. 掺杂工艺
C. 杂质浓度
D. 晶体缺陷
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在P型半导体中()为少子.
本征半导体是指没有掺杂的纯净晶体半导体
N型半导体中电子是少子,空穴是多子。
通常对于同种半导体材料,掺杂浓度越高,载子迁移率越低()
半导体工艺中,掺杂有哪几种方式?
以下掺杂半导体中属于n型的是()
N型半导体掺杂的是元素()
硼是VA族元素,其掺杂形成的半导体是P型半导体。
半导体中的离子注入掺杂是把掺杂剂()加速到的需要的(),直接注入到半导体晶片中,并经适当温度的()。
中国大学MOOC: 对于p型半导体,费米能级随掺杂浓度的变化情况为:
N型半导体——(电子为多子,空穴为少子)()
P型半导体——(电子为少子,空穴为多子)()
N型半导体——(电子为少子,空穴为多子)()
P型半导体——(电子为多子,空穴为少子)()
掺杂半导体中,载流子的浓度会影响载流子的迁移率。不论是空穴还是自由电子,在低杂质浓度下迁移率都,在高浓度下达到()
晶体管都是由掺杂半导体做成的
在本征半导体中,自由电子浓度()空穴浓度;在P型半导体中,自由电子浓度()空穴浓度;在N型半导体中,自由电子浓度()空穴浓度。(均选填“大于”“小于”或“等于”)
晶体管都是由掺杂半导体做成的。(6271)()
中国大学MOOC: 在半导体加工工艺中掺杂的目的主要是()。
在N型半导体中,空穴浓度____电子浓度;
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