使电力MOSFET导通的栅源驱动电压一般取()V。

Power MOSFET栅源之间的绝缘层很薄， 耗尽型MOSFET，栅源极之间的PN结()。 晶闸管导通时，其正向电压一般为（）。 晶闸管导通时，其正向电压一般为____。 下列关于IGBT与电力MOSFET说法正确的是: IGBT具有擎住效应|IGBT开关速度高于电力MOSFET|IGBT是电压驱动型器件|电力MOSFET存在二次击穿问题 拦焦车取门机、导焦栅、清框机的驱动方式：蒸压驱动（） 硅管的导通电压一般为V（） MOSFET为电压型驱动器件（） 可控硅导通后，管压降一般约为（）V左右 可控硅导通后，管压降一般约为（）V左右 电力MOSFET的通态电阻具有（） 一般IGBT的驱动级正向驱动电压应该保持在20～30V（） 一般的IGBT的驱动级正向驱动电压应该保持在20~30V（） 导焦装置导焦栅驱动方式为液压缸驱动（） JFET外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其RGS大的特点 MOSFET的导通电阻非常小，所以导通损耗也非常小。 电力通信系统内一般采用V直流供电电压（） IGBT 相比MOSFET，其通态电阻较大，因而导通损耗也较大。 可控硅导通后，要使可控硅由导通转为阻断，须使阳极和阴极间的正向电压小于某一数值才行，通常取（） 可控硅导通后，要使可控硅由导通转为阻断，须使阳极和阴极间的正向电压小于某一数值才行，通常取（）