JFET外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其RGS大的特点

PN结外加反向电压时，耗尽层（） 当PN结外加反向电压时，耗尽层（） 外加反向电压，PN结中的耗尽层宽度将变宽。 外加反向电压，PN结中的耗尽层宽度将变宽。 外加反向电压， PN 结中的耗尽层宽度将变宽。 外加反向电压，PN结中的耗尽层宽度将变宽（） 对于N沟道JFET，对应栅源电压vGS ，漏源电压vDS，夹断电压vP，描述正确的是（） N沟道耗尽型绝缘栅场效晶体管在ID时，栅源电压为负值（） 耗尽型MOSFET，栅源极之间的PN结()。 当PN结外加正向电压时，占优，耗尽层变窄（） ＰＮ结外加正向电压时，扩散电流 漂移电流，耗尽层 在使用绝缘栅型场应管时,栅源间应有直流通路（） MOSFET型场效应管存放时，应使（）(源或栅)极与（）(源或栅)极短接，避免栅极悬空。 使电力MOSFET导通的栅源驱动电压一般取()V。 当PN结反向偏置时，耗尽层的厚度______（） N沟道增强型绝缘栅场效应管，栅源电压VGS是指（） Power MOSFET栅源之间的绝缘层很薄， P沟道结型场效应管工作时,栅-源电压vGS和漏-源电压vDS应如下配置 耗尽型MOS管在栅源电压为正或负时均能实现压控电流的作用。/ananas/latex/p/5329 N沟道增强型绝缘栅场效晶体管，栅源电压VGS是（）