锗材料PN结的结压降为（）。

锗二极管的正向压降比硅管大，锗管反向漏电流比硅管大。 锗管的PN结的允许温度比硅管PN结温度（） 二极管的管压降：锗二极管正向管压降为（） 硅材料的PN结压降为（）。 在常温常压下，锗二极管的正向导通压降约为（） 锗材料电力二极管正向压降为（） 锗pn结的正向导通电压大约为（）V PN结两端加入反向压降时，空间电荷区将（） 硅材料PN结的结压降为（）V。 硅二极管的正向导通压降比锗二极管的（） 硅二极管的正向导通压降比锗二极管的大。（） 硅二极管的正向导通压降比锗二极管的大（） 通常硅二极管的反向饱和电流小于锗二极管的反向饱和电流，正向管压降低于锗二极管的正向管压降。 二极管处于正向导通时，其正向压降变化不大，硅管约为（），锗管约为（） 二极管处于正向导通时，其正向压降变化不大，硅管约为（），锗管约为（） 二极管正向导通时，压降很小，硅管0.2-0.3V,锗管0.5-0.7V（） 硅二极管与锗二极管相比，一般反向电流较，正向压降较（） 电导调制效应使得PN结在正向电流较大时压降仍然很低，维持1V左右，所以正向偏置的PN结表现为高阻态。 下列二极管正向压降正确的是A.硅管为0.7VB．锗管为0.7VC．锗管为0.3VD．硅管为0.3V（） 锗二极管的压降比硅二极管的要小，理论上锗二极管是0.3V，硅二极管是（）