硅材料的PN结压降为（）。

晶闸管是具有3个PN结、（）极的硅半导体器件。 电导调制效应使得PN结在正向电流较大时压降仍然很低，维持1V左右，所以正向偏置的PN结表现为高阻态。 PN结加正压（），加反压截止。 单向晶闸管（可控硅）由（）个半导体层构成，共有（）个PN结。 运用中的整流柜的硅整流管PN结温度不得超过℃（） 发射结压降 可控硅是具有三个PN结的三端半导体元件（） PN结反向偏置时,PN结的内电场。PN结具有特性 PN结的两边有一内建电势差，用锗材料制成的PN结电势差约为（） 单向可控硅是一种PNPN四层功率半导体器件，具有PN结（） PN 结加反向电压时,PN结变____、反向电流较____、反向电阻较____、PN结处于____状态 通常硅管导通时的正向压降约为（） 二极（硅）管的导通压降约为（） 锗管的基极与发射极之间的正向压降比硅管的正向压降大。（） PN结的单向导电性就是：加正向电压时，PN结（）；加反向电压时，PN结（）。 PN结加正向电压时，PN结变窄，正向电流较大，正向电阻较小，PN结处于导通状态（） PN 结正偏时，PN 结的电阷径大。 PN结反偏时，正向电流（），相当于PN结（）。 PN结正偏时，正向电流（），相当于PN结（）。 可控硅是一种          功率半导体器件，它内部有          个 PN 结。