硅二极管在通过额定电流后，其管子压降为2.6V（）

通常硅二极管的反向饱和电流小于锗二极管的反向饱和电流，正向管压降低于锗二极管的正向管压降。 硅二极管导通时的正向管压降约V（） 硅二极管的正向导通压降比锗二极管的（） 硅二极管导通后的管压降是（）伏。 Si二极管的死区电压约为V，Ge二极管的死区电压约为V，Si二极管导通时的管压降约为V，Ge二极管导通时的管压降约为V 硅二极管的正向导通压降比锗二极管的大。（） 硅二极管的正向导通压降比锗二极管的大（） 硅二极管的完全导通后的管压降约为()。 电力二极管的额定电流指的是 锗二极管的正向压降比硅管大,锗管反向漏电流比硅管大（） 锗二极管的正向压降比硅管大，锗管反向漏电流比硅管大。 在常温下，硅二极管的开启电压是（）V，导通后在较大电流下时正向压降约（）V。 硅二极管的正向导通压降约为 硅二极管导通时的正向压降为V，锗二极管导通时的正向压降为V（） 在下列关于二极管“死区电压/在额定电流范围内的正向管压降”数据中，合适的（） 二极管正向导通时，压降很小，硅管0.2-0.3V,锗管0.5-0.7V（） 二极管的管压降：锗二极管正向管压降为（） 一般情况下，硅二极管导通后的正向压降比锗二极管的要小（） 锗二极管导通压降是（）V 小电流硅二极管的死区电压约为（），正向压约为0.7V