晶体管的反向饱和电流是指发射极e开路时（）极之间的反向饱和电流

二极管的反向饱和电流在20℃时是5A，温度每升高10℃，其反向饱和电流增大一倍，当温度为40℃时，反向饱和电流值为（） 反向饱和电流越小，三极管质量越好。（） 当温度升高时，二极管反向饱和电流将（） 当温度降低时，二极管反向饱和电流将（ ）。 当温度升高时，二极管反向饱和电流将（） 当温度升高时，二极管的反向饱和电流()。 当温度升高时，二极管反向饱和电流将（） 通常硅二极管的反向饱和电流小于锗二极管的反向饱和电流，正向管压降低于锗二极管的正向管压降。 晶体三极管的穿透电流Icbo与反向饱和电流Iceo的关系是（） 二极管的反向饱和电流在20℃时为5μA，温度每升高10℃，其反向饱和电流值增大一倍，当温度为40℃时，反向饱和电流为（）。 二极管的反向饱和电流在20℃时为5μA，温度每升高10℃，其反向饱和电流值增大一倍，当温度为40℃时，反向饱和电流为（） 二极管的反向饱和电流在20℃时为5μA，温度每升高10℃，其反向饱和电流值增大一倍，当温度为40℃时，反向饱和电流为（） 当栅极、发射极间开路或加反向电压时，MOS管内形成导电沟道消失，晶体管的基极电流被切断，IGBT即关断,为全控型器件。 当栅极、发射极间开路或加反向电压时，MOS管内形成导电沟道消失，晶体管的基极电流被切断，IGBT即关断,为全控型器件。 当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（）。 当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（ ）。 当温度升高时，二极管的反向饱和电流将()。 当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（） 由二极管的特性曲线可以看出，当二极管的反向电压增加时，反向饱和电流（） 三极管发射极开路时，集电极—基极间加反向电压时由集电极流向基极的电流为（）。