主观题

已知一个晶体管的ICEO=200μA,当基极电流为20μA时,集电极电流为1mA,则该管的ICBO约等于( )

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晶体管中三个电流的关系是发射极电流=集电极电流+基极电流() 单结晶体管具有一个发射极、一个基极和一个集电极() 晶体管放大电路,已知直流放大倍数为β、基极静态电流为Ib,发射极电流Ie是() 单结晶体管三个电极分别是两个基极、一个()。 晶体管在放大区工作时基极静态工作电流为() 晶体管在放大区工作时基极静态工作电流为() 某晶体管的发射极电流等于1 mA,基极电流等于20μA,则它的集电极电流等于() 某晶体管的发射极电流等于1 mA,基极电流等于20μA,则它的集电极电流等于() 晶体管的集电极电流受基极电流控制,是一种控制器件 单结晶体管的结构中有()个基极。 基极直流电源EB使发射结正偏,与基极偏置电阻RB 配合为晶体管提供一个合适的直流电流 某晶体管的发射极电流等于1mA,基极电流等于20μA,则它的集电极电流等于mA() 某晶体管的发射极电流是1mA, 基极电流是20uA, 则它的集电极电流是 单结晶体管只有一个PN结,但有一个发射极和(),所以又称双基极二极管 在晶体管放大电路中,当集电极电流增大时,将使晶体管()。 某NPN型晶体管的集电极电流等于1mA,基极电流等于20μA,则它的发射极电流等于mA() 晶体管的电流分配关系是:发射极电流等于集电极电流和基极电流之和。 晶体管的穿透电流是衡量晶体管热稳定性的一个重要参数,其值越大越好。 晶体管进入饱和区工作,造成饱和失真。适当减小基极电流可消除失真。() 单结晶体管2个基极的文字符号是()
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