二极管当中，硅管的开启电压约为（）v，错管约为（）v。

在常温下，硅二极管的开启电压是（）V，导通后在较大电流下时正向压降约（）V。 硅二极管，它在反向电压下的漏电流比锗管小得多，但导通电压较高，约（）V。 二极管真正导通后，硅管的电压约为()V。 硅材料二极管的死区电压为（）V。 硅材料二极管的死区电压为（）V 硅二极管的导通电压为V（） 当硅二极管加上0.3V正向电压时，该二极管相当于（） 当硅二极管加上0.4V正向电压时，该二极管相当于( )。 当硅二极管加上0.4V正向电压时，该二极管相当于()   当硅二极管加上0.4V正向电压时，该二极管相当于（）   Si二极管的死区电压约为V，Ge二极管的死区电压约为V，Si二极管导通时的管压降约为V，Ge二极管导通时的管压降约为V 绪二极管导通时的管压降约V（） 锗二极管的压降比硅二极管的要小，理论上锗二极管是0.3V，硅二极管是（） 导通后二极管两端电压变化很小，锗管约为V，硅管约为V 当硅二极管加上0.3V正向电压时，该晶体二极管相当于()。   硅材料二极管的死区电压为0.3V。 当硅晶体二极管加上0.2V正向电压时.该晶体二极管相当于（） 当硅晶体二极管加上0.3V正向电压时，该晶体二极管相当于()。   二极管正向导通时，加在二极管两端电压的变化不大，小功率锗管为(),硅管为0.7V左右。   硅二极管的正向管压降约为0.7V（）