晶闸管导通时的管压降约（）V。

通常硅管导通时的正向压降约为0.2-0.4V。（） 硅二极管导通压降是（）V 锗二极管导通压降是（）V Si二极管的死区电压约为V，Ge二极管的死区电压约为V，Si二极管导通时的管压降约为V，Ge二极管导通时的管压降约为V 二极管导通时的正向电压称为正向压降（或管压降）。一般正常工作时，硅管的正向压降是（）V。 二极管导通时的正向电压称为正向压降（或管压降）。一般正常工作时，硅管的正向压降是（）V 在常温下，硅二极管的开启电压是（）V，导通后在较大电流下时正向压降约（）V。 可控硅导通后，管压降一般约为（）V左右 可控硅导通后，管压降一般约为（）V左右 晶闸管导通后的管压降为（）左右 管压降是指二级管导通时的（） 通常硅管导通时的正向压降约为（） 硅二极管导通时的正向压降为V，锗二极管导通时的正向压降为V（） 硅管的导通压降为( )V。 当温度升高时，二极管导通压降会 当温度升高时，二极管导通压降会（）。‍ 二极（硅）管的导通压降约为（） 二极管导通时，正向压降为0.7V。 二极管导通时，正向压降为0.7V（） 硅二极管导通后的管压降是（）伏。