以下哪种二极管正向压降最小？（ ）

通常硅二极管的反向饱和电流小于锗二极管的反向饱和电流，正向管压降低于锗二极管的正向管压降。 锗二极管的正向压降通常为（）。 二极管的正向压降与以下哪些因素有关（ ）。 硅二极管的正向导通压降约为 锗二极管正向导通压降约为V（） 二极管的正向压降一般为（ ）。 硅二极管与锗二极管相比，一般反向电流较，正向压降较（） 硅二极管的正向管压降约为0.7V（） 二极管1N4007的正向压降约为（） 一般情况下，硅二极管的正向导通压降比锗二极管的（） 肖特基二极管正向压降小，开启电压（），正向导通损耗小。 硅二极管导通时的正向管压降约V（） 二极管2CZ54Dr的正向压降约为（） 二极管2CZ54D的正向压降约为（） 二极管的正向压降随温度的升高而增大。（ ） 理想二极管的正向管压降以及反向电阻分别为()   二极管导通时的正向电压称为正向压降（或管压降）。一般正常工作时，硅管的正向压降是（）V。 二极管导通时的正向电压称为正向压降（或管压降）。一般正常工作时，硅管的正向压降是（）V 发光二极管正常工作时的正向压降大约为（） 肖特纳二极管正向压降小，开启电压低，正向导通损耗小（）