单选题

EPSP是由于突触后膜对哪些离子的通透性增加而发生的(  )

A. ,尤其是
B. ,尤其是
C. ,尤其是
D. ,、,尤其是
E. ,尤其是

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EPSP的产生是由于突触后膜提高了对下列哪种离子的通透性:() EPSP的产生,是由于突触后膜提高了对下列哪种离子的通透性 EPSP的产生是由于突触后膜提高了对下列哪种离子的通透性 EPSP的产生,是由于突触后膜提高了对下列哪种离子的通透性() EPSP的产生是由于突触后膜提高了对下列哪种离子的通透性() IPSP是由于突触后膜对哪种离子的通透性增加 IPSP是由于突触后膜对哪种离子的通透性增加 突触后膜对哪些离子通透性增加引起抑制性突触后电位() 突触后膜对哪些离子通透性增加引起抑制性突触后电位 突触后膜对哪些离子通透性增加引起抑制性突触后电位 突触后膜对哪些离子通透性增加引起抑制性突触后电位() 突触后膜对哪些离子通透性增加引起抑制性突触后电位 抑制性突触后电位形成是突触后膜对下列哪些离子通透性增加 抑制性突触后电位形成是突触后膜对下列哪些离子通透性增加 抑制性突触后电位形成是突触后膜对下列哪些离子通透性增加 抑制性突触后电位的形成,是由于突触后膜对下列中的哪些离子通透性增加所致 抑制性突触后电位的形成,是由于突触后膜对下列中的哪些离子通透性增加所致 抑制性突触后电位的形成,是由于突触后膜对下列中的哪些离子通透性增加所致() 突触后膜对下列哪些离子的通透性增加引起抑制性突触后电位() 兴奋性突触后电位的形成,是由于突触后膜对下列中的哪些离子通透性增加所致
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