抑制性突触后电位的形成，是由于突触后膜对下列中的哪些离子通透性增加所致（）

抑制性突触后电位是由于突触后膜出现了去极化。() 突触后膜对哪些离子通透性增加引起抑制性突触后电位 突触后膜对哪些离子通透性增加引起抑制性突触后电位（） 突触后膜对哪些离子通透性增加引起抑制性突触后电位 突触后膜对哪些离子通透性增加引起抑制性突触后电位 突触后膜对哪些离子通透性增加引起抑制性突触后电位（） 抑制性突触后电位形成是突触后膜对某些离子通透性增加，包括 抑制性突触后电位形成是突触后膜对某些离子通透性增加，包括 抑制性突触后电位形成是突触后膜对某些离子通透性增加，包括 突触后膜对下列哪些离子的通透性增加引起抑制性突触后电位（） 抑制性突触后电位抑制性突触后电位（） 抑制性突触后电位是指突触后膜出现 抑制性突触后电位(IPSP)的形成机制是由于突触后膜对哪种离予通透性增加引起 抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对()的通透性增加所致。 抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对——的通透性增加所致（）。 抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对下列哪种离子通透性增加所致 （ ） 抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对下列哪种离子通透性增加所致(   ) 抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对下列哪种离子通透性增加所致 抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对下列哪种离子通透性增加所致（） 突触后膜出现（）极化，称为抑制性突触后电位。