IPSP是由于突触后膜对哪种离子的通透性增加
A. Na+、K+、Cl-,尤其是K+
B. Na+、K+、Cl-，尤其是Na+
C. K+、Cl-，尤其是Cl-
D. K+、Cl-，尤其是K+
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EPSP是由于突触后膜对哪种离子的通透性增加
抑制性突触后电位(IPSP)的形成机制是由于突触后膜对哪种离予通透性增加引起
IPSP的产生是由于突触后膜提高了对下列哪些离子的通透性
IPSP的产生是由于突触后膜提高了对下列哪些离子的通透性（）
IPSP的产生是由于突触后膜提高了对下列哪些离子的通透性
抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对下列哪种离子通透性增加所致( )
抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对下列哪种离子通透性增加所致 （ ）
抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对下列哪种离子通透性增加所致（）
抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对下列哪种离子通透性增加所致
抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对下列哪种离子的通透性增加所致()
抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对哪种离子的通透性明显增加所致（）
突触后膜对下列哪种离子通透性增加产生抑制性突触后电位
突触后膜对下列哪种离子通透性增加产生抑制性突触后电位
兴奋性突触后电位是突触后膜对哪种离子的通透性增加引起的
兴奋性突触后电位是突触后膜对哪种离子的通透性增加引起的
兴奋性突触后电位是突触后膜对哪种离子的通透性增加引起的
兴奋性突触后电位是突触后膜对哪种离子的通透性增加引起的
突触后膜对下列哪种离子通透性增加产生兴奋性突触后电位
突触后膜对下列哪种离子通透性增加产生兴奋性突触后电位
突触后膜对下列哪种离子通透性增加产生兴奋性突触后电位
