硅的开启电压比锗的开启电压高

硅管导通电压0.3V,锗管导通电压0.7V 硅三极管的开启电压为0.5V~0.7V（） 硅二极管，它在反向电压下的漏电流比锗管小得多，但导通电压较高，约（）V。 硅管与锗管的死区电压分别为（）。 硅管与锗管的死区电压分别为（） 通常，硅管的死区电压约为V，锗管约为V（） 二极管当中，硅管的开启电压约为（）v，错管约为（）v。 通常，硅管的死区电压约为V，锗管约为（B）V（） 发光二极管（LED）的开启电压和击穿电压与普通二极管的开启电压和击穿电压相比为（） 开启电压的大小和（）有关。 开启电压的大小和（ ）有关。 二极管是一个PN结，具有单向导电性，当外加正向电压很低时，正向电流很小，几乎为零，当电压超过一定数值后，电流增长很快，这个一定数值的正向电压被称为死区电压或开启电压，其大小和材料有关，通常，硅管的死区电压约为V，锗管约为（） 硅和锗三极管的门电压不同，分别为（）伏。 硅和锗三极管的门电压不同，分别为（）伏 锗二极管的正向压降比硅管大,锗管反向漏电流比硅管大（） 锗二极管的正向压降比硅管大，锗管反向漏电流比硅管大。 PMOS管的开启电压Ur为（） 硅管比锗管受温度影响（）。 一般来说，硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压（） 增强型PMOS管的开启电压（）