单选题

EPSP的产生是后膜对那种离子通透增大引起的()

A. K+
B. Na+
C. CI-
D. Ca2+

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EPSP是由于突触后膜对哪些离子的通透性增加而发生的(  ) IPSP是由于突触后膜对哪些离子的通透性增加而产生的IPSP是由于突触后膜对哪些离子的通透性增加而产生的() 关于急性根尖周炎错误的是EPSP是由于突触后膜对哪些离子的通透性增加而发生的() 突触后膜对哪些离子通透性增加引起抑制性突触后电位() 突触后膜对哪些离子通透性增加引起抑制性突触后电位 突触后膜对哪些离子通透性增加引起抑制性突触后电位 突触后膜对哪些离子通透性增加引起抑制性突触后电位() 突触后膜对哪些离子通透性增加引起抑制性突触后电位 IPSP是由于突触后膜对哪些离子的通透性增加而产生的() IPSP的产生,是由于突触后膜对下列哪种离子通透性的增加() IPSP是由于突触后膜对哪些离子的通透性增加而产生的() IPSP的产生,是由于突触后膜对下列哪种离子通透性的增加 IPSP的产生,是由于突触后膜对下列哪种离子通透性的增加() IPSP是由于突触后膜对哪些离子的通透性增加而产生的(  ) 突触后膜对下列某种离子通透性增加产生兴奋性突触后电位,该离子是 突触后膜对下列某种离子通透性增加产生兴奋性突触后电位,该离子是 发生兴奋性突触后电位时,膜通透性增大的离子是 突触后膜对下列哪些离子的通透性增加引起抑制性突触后电位() 兴奋性突触后电位是突触后膜对哪种离子的通透性增加引起的 兴奋性突触后电位是突触后膜对哪种离子的通透性增加引起的
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