IPSP的产生，是由于突触后膜对下列哪种离子通透性的增加（）

IPSP的产生是由于突触后膜提高了对下列哪些离子的通透性（） IPSP的产生是由于突触后膜提高了对下列哪些离子的通透性 抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对下列哪种离子通透性增加所致（） 抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对下列哪种离子通透性增加所致(   ) 抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对下列哪种离子通透性增加所致 （ ） 抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对下列哪种离子通透性增加所致 抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对下列哪种离子的通透性增加所致() 抑制性突触后电位的产生，是由于突触后膜对下列哪种离子提高了通透性（） 抑制性突触后电位的产生，是由于突触后膜对下列哪种离子提高了通透性（）   EPSP的产生是由于突触后膜提高了对下列哪种离子的通透性（） EPSP的产生是由于突触后膜提高了对下列哪种离子的通透性：（） EPSP的产生是由于突触后膜提高了对下列哪种离子的通透性 EPSP的产生，是由于突触后膜提高了对下列哪种离子的通透性 EPSP的产生,是由于突触后膜提高了对下列哪种离子的通透性（） EPSP是由于突触后膜对哪种离子的通透性增加 EPSP是由于突触后膜对哪种离子的通透性增加 突触后膜对下列哪种离子通透性增加产生抑制性突触后电位 突触后膜对下列哪种离子通透性增加产生抑制性突触后电位 抑制性突触后电位(IPSP)的形成机制是由于突触后膜对哪种离予通透性增加引起 兴奋性突触后电位的产生，是由于突触后膜提高了对下列哪种离子的通透性（）