1500℃以上硅的还原顺序为SiO2→SiO→Si，到达风口时[Si]含量达到最大值（）

SiO2还原Si的开始温度为（） 锰硅合金生产中，通常锰硅合金炉渣成分SiO2为（） 冶炼普通生铁时，SiO2非常稳定，难于还原，还原率为（）。 硅的还原是按（）→（）→（）的顺序逐级进行的。 硅的还原是按照（）的顺序逐级进行的。 根据高炉内硅还原的机理，降低生铁含硅的途径是：首先是降低软熔带位置、缩小熔滴带高度；其次降低风口前燃烧温度，直接减少SiO的发生量；三是应减少入炉的SiO2量，降低炉渣中SiO2的活度。 根据高炉内硅还原的机理，降低生铁含硅的途径是：首先是降低软熔带位置、缩小熔滴带高度；其次降低风口前燃烧温度，直接减少SiO的发生量；三是应减少入炉的SiO2量，降低炉渣中SiO2的活度。 根据高炉内硅还原的机理，降低生铁含硅的途径是：首先是降低软熔带位置、缩小熔滴带高度；其次降低风口前燃烧温度，直接减少SiO的发生量；三是应减少入炉的SiO2量，降低炉渣中SiO2的活度（） 下面哪些说法是正确的（）⑴ 热生长SiO2只能在Si衬底上生长 ⑵ CVD SiO2可以淀积在硅衬底上，也可以淀积在金属、陶瓷、及其它半导体材料上 ⑶ CVD SiO2，衬底硅不参加反应 ⑷ CVD SiO2，温度低 铁中的Si是从炉渣中SiO2和焦碳灰分中的SiO2还原出来的。 铁中的Si是从炉渣中SiO2和焦碳灰分中的SiO2还原出来的（） 用CaO脱硫过程中，铁水中的硅会被氧化成SiO2，SiO2和CaO反应相应的降低了CaO的脱硫效果，因此，用CaO脱硫最好能在惰性气体或还原气氛下进行（） 用硅钼蓝分光光度法测定SiO2，适用于含量的SiO2的测定（） 硅质绝热板的主要化学成份是SiO2。 冶炼硅铁时对硅石中SiO2的含量要求是（） 冶炼硅铁时对硅石中SiO2的含量要求是（） 中包硅质绝热板的主要成分是SiO2（） 冶炼锰硅合金对锰矿中SiO2的含量要求是（） 硅的还原量与温度和SiO2的活度成正比；而增大[Si]的活度系数或CO气体的分压，都会使[Si]%下降（） 含SiO2在（）以上的材料统称硅质耐火材料，硅砖以（）为主要原料生产，其SiO2含量一般不低于（），主要矿物组成为磷石英和方石英