登录/
注册
下载APP
帮助中心
首页
考试
APP
当前位置:
首页
>
查试题
>
电路如下图所示,晶体管的b=100,=100Ω。若电容Ce开路,则将引起电路的哪些参数发生变化()
多选题
电路如下图所示,晶体管的b=100,=100Ω。若电容Ce开路,则将引起电路的哪些参数发生变化()
A. 静态工作点的值
B. 电压放大倍数的值
C. 输入电阻的值
D. 输出电阻的值
查看答案
该试题由用户844****25提供
查看答案人数:19366
如遇到问题请
联系客服
正确答案
该试题由用户844****25提供
查看答案人数:19367
如遇到问题请
联系客服
搜索
热门试题
晶体管—晶体管电路形式指是(4052)()
晶体管高频交流等效电路中结电容不能忽略
已知晶体管的输入信号为正弦波,下图所示输出电压波形产生的失真为
TTL集成电路的全称是晶体管—晶体管逻辑集成电路()
TTL集成电路的全称是晶体管—晶体管逻辑集成电路。()
串联型晶体管稳压电路是将晶体管作为()在电路中使用。
()TTL"与非"门逻辑电路是晶体管-晶体管型集成门电路。
电力晶体管()电路。
放大电路如图2-2-15所示,设晶体管β=50,,为使电路在可变电阻时,晶体管刚好进入饱和状态,电阻R应取()kΩ
晶体管电路中极间电容和由于导线排列不合理引起的电容,都属于寄生电容。
晶体管电路中极间电容和由于导线排列不合理引起的电容,都属于寄生电容()
晶体管V1的=50,晶体管V2的=30,若两管组成复合晶体管,则该复合晶体管的p约为()
在电路中接入单结晶体管时,若把b1、b2接反了,就会烧坏管子。
晶体管延时电路可釆用单结晶体管延时电路、不对称双稳态延时电路及MOS型场效应晶体管延时电路来实现。
晶体管非门电路如图7-5-16所示,=20kΩ,β=40,
如图所示单结晶体管振荡电路,决定控制角a的元件是()
晶体管-晶体管逻辑电路数字集成电路中最基本的门电路是()
利用JT-1型晶体管特性图示仪,不但可以测试晶体管,换可以测量电容的电容量、电感的电感量只能测量晶体管()
图示的晶体管均为硅管,测量的静态电位如图所示,处于放大状态的晶体管是( )。
单结晶体管弛张振荡电路,电容上的电压波形是()
购买搜题卡
会员须知
|
联系客服
免费查看答案
购买搜题卡
会员须知
|
联系客服
关注公众号,回复验证码
享30次免费查看答案
微信扫码关注 立即领取
恭喜获得奖励,快去免费查看答案吧~
去查看答案
全站题库适用,可用于聚题库网站及系列App
只用于搜题看答案,不支持试卷、题库练习 ,下载APP还可体验拍照搜题和语音搜索
支付方式
首次登录享
免费查看答案
20
次
账号登录
短信登录
获取验证码
立即登录
我已阅读并同意《用户协议》
免费注册
新用户使用手机号登录直接完成注册
忘记密码
登录成功
首次登录已为您完成账号注册,
可在
【个人中心】
修改密码或在登录时选择忘记密码
账号登录默认密码:
手机号后六位
我知道了