图示的晶体管均为硅管，测量的静态电位如图所示，处于放大状态的晶体管是( )。

差分放大电路如图所示，若晶体管的参数对称，β均为50，均为2.6kΩ。则差模电压放大倍数约为（） 中国大学MOOC: 用万用表直流电压挡测得电路中晶体管各电极对地电位如图所示，说明该晶体管的工作状态是 。 晶体三极管放大电路如图所示，在并入电容之后（） 如图所示单结晶体管振荡电路，决定控制角a的元件是（） NPN型晶体管处于放大状态时，各级的电位关系是（）。 NPN型晶体管处于放大状态时，各级的电位关系是（） 晶体三极管放大电路如图所示，在进入电容CE之后： 晶体三极管放大电路如图所示，在进入电容CE之后（） 晶体三极管放大电路如图所示，在进人电容之后（） 晶体管单管放大电路如图7-5-18 （a） 所示，其中电阻的波形如图7-5-18 （b） 所示时，输出波形（） 处于放大状态的NPN型晶体管，各电极的电位关系是（） 工作在放大状态的晶体管，各极的电位应使晶体管满足什么？( ) 晶体管图示仪测量晶体管时可以改变特性曲线族之间的间距（） 晶体管放大电路，放大状态的静态I点，发射极电压Ube，硅管为0.6～0.8V，锗管为0.12～0.3V（） 晶体管按材料不同可分为硅晶体管和锗晶体管。 晶体管处于放大状态的条件为()。 晶体管处于放大状态的条件是（） 基本共射放大电路如图所示，已知，晶体管的，若输入正弦电压有效值为，则用示波器观察到的输出电压波形为（） 晶体管非门电路如图所示，已知要使晶体管饱和导通，的值不得大于（）。（，集电极和发射极之间的饱和电压） 用晶体管图示仪测量晶体管时，调节可以改变特性曲线簇之间的间距（）