在EPSP，突触后膜上发生的电位变化为

抑制性突触后电位的变化是突触后膜出现（） 兴奋性突触后电位的变化是突触后膜呈现__。 兴奋性突触后电位（EPSP）和抑制性突触后电位（IPSP）共有的特点是（） 兴奋性突触后电位发生时，突触后膜膜电位的特征是 兴奋性突触后电位是发生在突出后膜上的（） 突触后膜在某种递质作用下发生的局部去极化电位变化称为（）。 兴奋性突触后电位产生时，突触后膜局的变化为 兴奋性突触后电位产生时，突触后膜局部的变化为 EPSP是由于突触后膜对哪些离子的通透性增加而发生的（　　） 产生兴奋性突触后电位（EPSP）的主要机制是 在突触传递过程中，兴奋性递质作用于突触后膜所引起的突触后膜的电位变化是（） EPSP是由于突触后膜对哪种离子的通透性增加 EPSP是由于突触后膜对哪种离子的通透性增加 突触传递过程中，使突触后膜产生Cl-内流为主的电位变化是( ) 兴奋性突触后电位的后膜产生的电变化为 兴奋性突触后电位的后膜产生的电变化为（　　）。 兴奋性突触后电位是由于突触后膜 突触后膜出现（）极化，称为抑制性突触后电位。 抑制性突触后电位是指突触后膜出现 单个动作电位所引起的EPSP足以引起突触后静息神经元产生动作电位