在一块杂质浓度较低的P型硅片上制作两个高浓度的N区，分别引出电极引线，称为场效应管的（）。

物质由于（）不同而产生扩散，扩散是由高浓度区向较低浓度区方向进行。 掺杂半导体中，载流子的浓度会影响载流子的迁移率。不论是空穴还是自由电子，在低杂质浓度下迁移率都，在高浓度下达到（） 在杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度，而少数载流子的浓度则与有很大关系（） 将一块N型半导体和一块P型半导体相互接触，在其接触面上会形成一个PN结。 将一块N型半导体和一块P型半导体相互接触，在其接触面上会形成一个PN结（） 反应器中原料乙烯中杂质浓度的增加树脂密度增加（） 离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的（）。 单片集成稳压电路就是将稳压电路中的全部元、器件都制作在一块硅片上的稳压块（） 单片集成稳压电路就是将稳压电路中的全部元、器件都制作在一块硅片上的稳压块（） 对于浓度覆盖很宽的杂质原子，可以采用（）方法引入到硅片中。 采用不同的掺杂工艺，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体基片上，在它们的交界面形成空间电荷区称为 借助于载体，药物从低浓度区向高浓度区转运 不需要载体，药物从高浓度区向低浓度区扩散 借助于载体，药物从高浓度区向低浓度区扩散 借助于载体，药物从高浓度区向低浓度区扩散 不需要载体，药物从高浓度区向低浓度区扩散 借助于载体，药物从低浓度区向高浓度区转运 溶质原子由低浓度区向高浓度区进行的扩散称为（） 三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成部分（） 若PN结两侧的杂质浓度高，则形成的PN结反向漏电流大，反向击穿电压高。()