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对于良好的绝缘试品,电压升高时,tgδ()
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对于良好的绝缘试品,电压升高时,tgδ()
A. 变大
B. 变小
C. 不变
D. 以上都不对
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对于良好绝缘的tanδ测试,在额定电压以下时,随着试验电压U的升高而基本不变()
对于良好绝缘的tan6测试在额定电压以下时,随着试验电压U的升高而降低()
对于良好绝缘的tan6测试在额定电压以下时,随着试验电压U的升高而基本不变()
对于良好绝缘的tan6测试在额定电压以下时,随着试验电压U的升高而(C基本不变)()
良好的绝缘在额定电压范围内,其tgδ几乎保持不变()
测量试品的绝缘电阻时,规定以加电压后60s测得的数值为该试品的绝缘电阻值。()
于良好绝缘的tanδ测试,在额定电压以下时,随着试验电压U的升高而()
变压器绕组绝缘的tgδ时,非被试绕组应()。
现场用电桥测量介质损耗因数,出现-tgδ的主要原因:①标准电容器CN有损耗,且tgδN>tgδx;②电场干扰;③试品周围构架杂物与试品绝缘结构形成的空间干扰网络的影响;④空气相对湿度及绝缘表面脏污的影响()
用末端屏蔽法测量220kV串级式电压互感器的tgδ,在试品底座法兰对地绝缘,电桥正接线、Cx引线接试品x、xD及底座条件下,其测得值主要反映()的绝缘状况
测量试品的绝缘电阻时,试品温度宜在()之间。
用末端屏蔽法测量220kV串级式电压互感器的tgδ,在试品底座法兰对地绝缘,电桥正接线、Cx引线接试品x、xD及底座条件下,其测得值主要反映(C)的绝缘状况()
绝缘子瓷表面出现裂纹或损伤时应及时更换,以防引起良好绝缘子上电压升高。()
绝缘电阻是指加于试品上的直流电压与流过被试品的之比()
测量变压器绕组绝缘的tg时,非被试绕组应()
测量变压器绕组绝缘的tgδ时,非被试绕组应()
对于不均匀的绝缘试品,如果绝缘严重受潮,则吸收比( )。
当试品绝缘受潮时,随着试验电压U的变化,tanδ值呈开口环曲线。
当试品绝缘受潮时,随着试验电压U的变化,tanδ值呈开口环曲线()
测量试品的绝缘电阻时,试品温度宜在10-400C之间()
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