突触后膜对下列哪种离子通透性增加产生抑制性突触后电位

突触后膜对下列某种离子通透性增加产生兴奋性突触后电位，该离子是 抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对下列哪种离子的通透性增加所致() 突触后膜对哪些离子通透性增加引起抑制性突触后电位 突触后膜对哪些离子通透性增加引起抑制性突触后电位（） 突触后膜对哪些离子通透性增加引起抑制性突触后电位 突触后膜对哪些离子通透性增加引起抑制性突触后电位（） 突触后膜对哪些离子通透性增加引起抑制性突触后电位 抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对哪种离子的通透性明显增加所致（） 抑制性突触后电位形成是突触后膜对下列哪些离子通透性增加 突触后膜对下列哪些离子的通透性增加引起抑制性突触后电位（） 抑制性突触后电位形成是突触后膜对下列哪些离子通透性增加 抑制性突触后电位形成是突触后膜对下列哪些离子通透性增加 抑制性突触后电位的产生，是由于突触后膜对下列哪种离子提高了通透性（） 抑制性突触后电位的产生，是由于突触后膜对下列哪种离子提高了通透性（）   抑制性突触后电位形成是突触后膜对某些离子通透性增加，包括 抑制性突触后电位形成是突触后膜对某些离子通透性增加，包括 抑制性突触后电位形成是突触后膜对某些离子通透性增加，包括 抑制性突触后电位形成时，突触后膜通透性增加的离子是 抑制性突触后电位形成时，突触后膜通透性增加的离子是 IPSP的产生，是由于突触后膜对下列哪种离子通透性的增加