IPSP发生时，突触后膜电位的状态是（）

兴奋性突触后电位是指在突触后膜上发生的电位变化为（） 可兴奋细胞处于安静时,其膜电位状态是 兴奋性突触后电位突触后膜上发生的电位变化为（）。 兴奋性突触后电位突触后膜上发生的电位变化为（） 兴奋性突触后电位突触后膜上发生的电位变化为 兴奋性突触后电位是指在突触后膜上发生的电位变化，被称作 膜电位的产生是由于()而形成静息状态下的膜电位差。 膜电位的产生是由于（）而形成静息状态下的膜电位差 可兴奋细胞处于安静时，其膜电位的状态是（） 兴奋性突触后电位在突触后膜上发生的电位变化为 递质作用与突触后膜时使膜电位由静息时的－90毫伏变为－80毫伏，称为（） 突触后电位包括兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位。关于突触后电位的特征，下列哪项是错误的 突触后电位包括兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位。关于突触后电位的特征，下列哪项是错误的 兴奋性突触后电位(EPSP)是发生在突触后膜上的 IPSP是由于突触后膜对哪些离子的通透性增加而产生的IPSP是由于突触后膜对哪些离子的通透性增加而产生的（） 兴奋性突触后电位是发生在（） 在突触后膜上发生的兴奋性突触后电位为 IPSP是由于突触后膜对哪种离子的通透性增加 IPSP是由于突触后膜对哪种离子的通透性增加 IPSP的产生机制为抑制性递质作用于突触后膜，使突触后膜的