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在配位滴定中,消除干扰离子常用的掩蔽法有()
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在配位滴定中,消除干扰离子常用的掩蔽法有()
A. 沉淀掩蔽法
B. 配位掩蔽法
C. 氧化还原掩蔽法
D. 以上都是
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配位滴定中,在使用掩蔽剂消除共存离子的干扰时,下列注意事项中说法不正确的是()
配位滴定中常用的消除干扰的方法包括()
为消除干扰离子的影响,可采用掩蔽法。掩蔽法分为()。
EDTA配位滴定法,消除其他金属高子干扰常用的方法有()
在配位滴定中,对配位掩蔽剂的要求有()
在配位满定中,消除干扰离子的方法有()
利用改变干扰离子的价态达到消除干扰的目的的掩蔽法叫氧化还原掩蔽法()
提高配位滴定选择性的方法有和利用掩蔽剂消除干忧
配位滴定中,掩蔽剂与干扰离子形成配合物的稳定性一定大于EDTA与该离子所形成配合物的稳定性。
在配位滴定中,要准确滴定M离子而N离子不干扰须满足lgKMY-lgKNY≥5()
干扰物的分离与掩蔽:根据定性分析结果及定量分析方法的选择,对干扰离子常用沉淀、萃取、层析分离法或掩蔽法予以消除()
氧化还原掩蔽剂是配位滴定中应用最多的掩蔽剂。]()
在配位滴定中,要准确滴定M离子而N离子不干扰须满足lgK(MY)-lgK(NY)≥5()
氧化还原掩蔽法是利用氧化还原反应,改变干扰离子价态,达到消除干扰的目的()
用指示剂(In),以EDTA(Y)滴定金属离子M时常加入掩蔽剂(X)消除某干扰离子(N)的影响。不符合掩蔽剂加入条件的是()。
配位滴定法测定钙镁合量时, 铁、铝、钛的干扰可用( )掩蔽。
在配位滴定中,要准确滴定偏M离子而N离子不干扰须满足lgK(MY)-1gK(NY)≥5()
常用的提高配位滴定选择性的方法有控制溶液的酸度、掩蔽和解蔽的方法、化学分离法等。
常用的提高配位滴定选择性的方法有控制溶液的酸度、掩蔽和解蔽的方法、化学分离法等()
配位滴定法测定金属离子含量时,应注意酸度、干扰离子的影响()
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