导体材料的能带结构为禁带宽度小于2eV（）

只有光的能量大于材料的禁带宽度时才可透过，可见光的能量在3.1eV左右。() 通常来说，晶格常数较大的半导体禁带宽度也较大。 通常来说，晶格常数较大的半导体禁带宽度也较大（） 当光照射在PN结时，如果光子能量小于半导体禁带宽度（E0 < Eg）,可激发出电子——空穴对。（ ） 异质结是由至少两种不同禁带宽度的半导体相互接触而形成的（） 原子数目越多，分裂成的能带宽度越大。（） 某半导体材料的表面能带结构测定，可以选择下列方法中的（） 半导体材料的能带结构为半满带或空带与价带有重叠。（） 能带宽度与原子数目无关，仅取决于原子间距，间距大，带宽大。（） 非晶硅太阳能电池禁带宽度通常为（） 非晶硅太阳能电池禁带宽度通常为（） AlAs的禁带宽度比GaAs大，晶格常数也更大。保存（） 非晶硅太阳能电池禁带宽度通常为（） 中国大学MOOC: 发光二极管辐射光的峰值波长与材料的禁带宽度Eg无关。 测量小儿血压的袖带宽度小于上臂长的1/2时，可能 安全带宽度不小于（）mm。 安全带宽度不小于mm（） 对于导体能带结构，下列说法正确的是（） 种植乔木的分车绿带宽度不得小于（） 安全带主带宽度不应小于（）毫米