半导体材料的能带结构为半满带或空带与价带有重叠。（）

P型半导体带正电，N型半导体带负电（） “N型半导体带正电,P型半导体带负电。”,这句话是 的 p型半导体中杂质原子所形成的局部能级(也称受主能级)，在能带结构中应处于禁带中，但接近满带顶。 n型半导体中杂质原子所形成的局部能级靠近空带(导带)的底部，使局部能级中多余的电子容易被激发跃迁到空带中去，大大提高了半导体导电性能． 某半导体材料的表面能带结构测定，可以选择下列方法中的（） 半导体中空穴带正电，电子带负电。 由于P型半导体中含有大量空穴，N型半导体中含有大量电子载流子，所以P型半导体带正电，N型半导体带负电（） 由于P型半导体中含有大量空穴载流子，N型半导体中含有大量电子载流子，所以P型半导体带正电，N型半导体带负电。 由于P型半导体中含有大量空穴载流子，N型半导体中含有大量电子载流子，所以P型半导体带正电，N型半导体带负电。 N型半导体，P型半导体中的多数载流子性质不同，N型半导体带负电，而P型半导体带正电，所以PN结形成内电场。 N型半导体，P型半导体中的多数载流子性质不同，N型半导体带负电，而P型半导体带正电，所以PN结形成内电场（） N型半导体带负电。 N型半导体带正电。() 硅是一种间接带隙半导体，而锗是一种直接带隙半导体（） N型半导体中的多数载流子是电子，电子带负电，因此N型半导体带负电。() N型半导体中的多数载流子是电子，电子带负电，因此N型半导体带负电。()   N型半导体和P型半导体中的多数载流子性质不同，N型半导体带负电，而P型半导体带正电，所以PN结形成内电场。（） N型半导体和P型半导体中的多数载流子性质不同，N型半导体带负电，而P型半导体带正电，所以PN结形成内电场（） N型半导体材料中自由电子的浓度远远高于空穴浓度，所以N型半导体带负电（） 由于P型半导体中的多数载流子是空穴，空穴带正电，所以P型半导体带正电。（）