由N沟道和P沟道增强型MOS管并联互补组成CMOS传输门,其控制电压分别加在。（4067）（）

N沟道增强型绝缘栅型场效晶体管只有加一定的（）,才能形成导电沟道。   中国大学MOOC: p沟道增强型比n沟道增强型器件更易制造的原因是氧化层正电荷的积累可能会使n型半导体反型。 选择正确答案填入空内： N沟道增强型MOS管工作在恒流区的条件是______。 N型沟道增强型场效应管只有当VGS＞VT时才开始导电（） 下面关于N沟道增强型场效应管的描述中，正确的是 N沟道增强型绝缘栅场效应管，栅源电压VGS是指（） Mos管分为__和P沟道两种 N沟道增强型绝缘栅场效晶体管，栅源电压VGS是（） N沟道增强型场效晶体管正常工作时，应加（）栅源电压。()   P-MOSFET分为N沟道型和P沟道型。() N型沟道增强型场效应管是指多子为自由电子，少子为空穴（） P沟道耗尽型MOS管的夹断电压VP为 （ ） 所谓n沟道MOS管指的是它的基底是n型半导体 所谓n沟道MOS管指的是它的基底是n型半导体（） 选择正确答案填入空内： 使N沟道耗尽型MOS管导电沟道被夹断的条件是_____。 对N沟道增强型场效应管作放大作用时，场效应管应工作在区（） N沟道增强型MOSFET工作于放大工作状态时，要求UGSQ>__, UDSQ>____（） 结型场效应管分为N沟道和P沟道两种结构形式（） N沟道耗尽型MOS管的uGS在一定范围内（） P沟道耗尽型MOS管的外加电压uGS的极性可正可负。()