N沟道增强型MOSFET工作于放大工作状态时，要求UGSQ>__, UDSQ>____（）

中国大学MOOC: p沟道增强型比n沟道增强型器件更易制造的原因是氧化层正电荷的积累可能会使n型半导体反型。 P-MOSFET分为N沟道型和P沟道型。() N沟道增强型场效晶体管的开启电压（）   N沟道增强型绝缘栅型场效晶体管只有加一定的（）,才能形成导电沟道。   下面关于N沟道增强型场效应管的描述中，正确的是 N沟道增强型绝缘栅场效应管，栅源电压VGS是指（） CMOS集成电路以增强型P沟道MOS管和增强型N沟道MOS管为基本单元的组件。若串联则互补构成，若并联互补则构成传输门。（4062）（） 中国大学MOOC:"对于增强型N型沟道MOS管，UGS只能为（ ）电压。（填写正/负）"; N型沟道增强型场效应管是指多子为自由电子，少子为空穴（） N沟道增强型绝缘栅场效晶体管，栅源电压VGS是（） 增强型MOS管在uGS=0时不存在导电沟道 增强型MOS管工作在饱和区（放大区）时，其栅源电压必须大于零。 由N沟道和P沟道增强型MOS管并联互补组成CMOS传输门,其控制电压分别加在。（4067）（） 绝缘栅场效应管也有两种结构形式，它们是N沟道型和P沟道型。无论是什么沟道，它们又分为增强型和耗尽型两种 P沟道增强型MOS管的栅源开启电压是________ 增强型综合布线系统要求每个工作区中有（）信息插座。 P沟道增强型MOS管中，外加电压uGS的极性为（） 所谓增强型场效应管是指当uGS=0时有导电沟道 中国大学MOOC: n沟增强型MOS管的源端接地，工作在饱和工作区时，以下说法中错误的是（ ）。 N沟道MOSFET管的导通条件是（）