功率MOSFET是一种单极型的电流控制器件（）

继电器是一种电子控制器件，实际上是用较的电流去控制较电流的一种“自动开关”（） 决定MOSFET通态损耗的参数是）控制器件（） IGBT器件是一种复合器件，它兼有功率MOSFET和双极型器件的开关速度快、安全工作区宽、驱动功率小、耐压高、载流能力大等优点（） 场效应管是一种 控制器件？ 电力场效应管MOSFET是理想的()控制器件。 电力场效应管MOSFET是理想的()控制器件。 功率开关器件：主要采用（）或（）；现在已经采用一种新型的开关组合方式：MOSFET和IGBT（）。 继电器是一种电控制器件。它具有 功率MOSFET是一种（）器件，具有驱动功率小，工作速度快，无二次击穿和安全区宽等特点。 MOS管是一种电流型半导体器件，BJT是一种电压型半导体器件（） IGBT是一种电压控制型器件。() 按照器件内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况可将电力电子器件分为单极型器件、双极型器件和复合型器件三种；下列器件中哪个器件是单极型器件（） 电力场效应晶体管MOSFET是理想的()控制器件。 三极管中，只有一种载流子参与导电，又称为单极型器件。（） 继电器是一种具有隔离功能的电子控制器件（） 静电感应晶体管SIT是一种多子导电的器件，其工作频率与电力MOSFET相当，甚至超过电力MOSFET，而功率容量也比电力MOSFET大，因而适用于高频大功率场合。 场效应管是一种（）控制器件，其控制能力用参数（）反映。   场效晶体管也是一种具有放大能力的晶体管，但它的控制方式与晶体管不同，晶体管是利用输入电流去控制输出电流，是电流控制器件，而场效晶体管是利用输入电压来控制输出电流，是电压控制器件 绝缘栅双极型晶体管属于电流控制器件。 绝缘栅双极型晶体管IGBT，将MOSFET与的优点集于一身，是一种复合型电力半导体器件（）