IGBT器件是一种复合器件，它兼有功率MOSFET和双极型器件的开关速度快、安全工作区宽、驱动功率小、耐压高、载流能力大等优点（）

IGBT是一种电压控制型器件。() IGBT属于电压控制型功率器件，它具有的优点（） 下列关于IGBT与电力MOSFET说法正确的是: IGBT具有擎住效应|IGBT开关速度高于电力MOSFET|IGBT是电压驱动型器件|电力MOSFET存在二次击穿问题 功率MOSFET是一种（）器件，具有驱动功率小，工作速度快，无二次击穿和安全区宽等特点。 IGBT是一个复合型的器件,它是( ) IGBT是一种三端功率半导体器件，其显著的特色是电流容量高，开关速度快。 IGBT是下列哪种器件组成的复合管（） 下列器件中，集MOSFET和功率晶体管的优点于一身（） IGBT是MOSFET和GTR复合的产物，具有GTR的异通特性和MOSFET的驱动特性，下列哪项属于它的特性（） 变流器中的功率器件IGBT具有的特点有（） 晶闸管（可控硅）是一种新型大功率半导体器件它主要用于（）。 静电感应晶体管SIT是一种多子导电的器件，其工作频率与电力MOSFET相当，甚至超过电力MOSFET，而功率容量也比电力MOSFET大，因而适用于高频大功率场合。 ()是将电力MOSFET与晶闸管SCR组合而成的复合型器件。 可控硅是一种          功率半导体器件，它内部有          个 PN 结。   继电器是一种电控制器件。它具有 功率MOSFFET是一种单极型的电压控制器件（） IGBT属于器件（） 按照器件内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况可将电力电子器件分为单极型器件、双极型器件和复合型器件三种；下列器件中哪个器件是单极型器件（） 晶闸管又叫（），它是一种大功率半导体器件。 晶闸管又叫（），它是一种大功率半导体器件