当温度上升时，晶体管的电流放大系数β和反向饱和电流I_CBO            ,发射结正向压降U_BE            ；共射输入特性曲线将      ；输出特性曲线将       ；输出特性曲线之间的间隔将     。(    )  

造成大电流时晶体管电流放大系数下降的因素有（）、集电结空间电荷限制的效应、（） 两个β相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为（ ） 当温度升高时，三极管的电流放大系数β将()。 晶体三极管的电流放大系数随温度升高而()。 晶体三极管的电流放大系数随温度升高而（） 晶体三极管的电流放大系数随温度升高而增大。 晶体三极管的电流放大系数随温度升高而增大（） 晶体三极管的电流放大系数随温度升高而增大（） 晶体管的特征频率为电流放大系数值因频率升高而下降至（）时的频率。 晶体管的反向饱和电流是指发射极e开路时（）极之间的反向饱和电流 在室温升高时，晶体三极管的电流放大系数β（） 温度升高时,三极管的电流放大系数β将 温度升高时，三极管的电流放大系数β将（） 测得晶体管IB=15μA时，IC=2.5mA，IB=20μA时IC=4mA，则该管的交流放大系数为（） 测得晶体管IB=30μA时，IC=2.4mA，IB=40μA时IC=3mA，则该管的交流放大系数为（） 若晶体三极管集电极电流IC=9mA，该管的电流放大系数为β=50，则基极电流IB=（）mA 在小信号放大电路中，若把集电极和发射极对调使用，则晶体管的电流放大系数将（）。 在共发射极晶体管的放大电路中，当无输入信号（静态）时，集电极电流Ic与基极电流Ib的比值称为共发射极（）放大系数。 在共发射极晶体管的放大电路中，当无输入信号（动态）时，集电极电流Ic与基极电流Ib的比值称为共发射极放大系数（） 若晶体三极管集电极电流IC=9mA，该管的电流放大系数为β=50， 则基极电流 IB=（）mA。