场效晶体管的PDSM=1W，工作时漏源电压VDS=10V，漏极电流ID不可超过（）

场效晶体管也是一种具有放大能力的晶体管，但它的控制方式与晶体管不同，晶体管是利用输入电流去控制输出电流，是电流控制器件，而场效晶体管是利用输入电压来控制输出电流，是电压控制器件 焊接场效晶体管时应先焊（） 在场效晶体管的特性中，反映栅源电压对漏极电流的控制能力的是（）   N沟道增强型场效晶体管的开启电压（）   场效晶体管是一种（　　） 中国大学MOOC: 测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值，VDS=3V，VGS=-2V，VTP=-1V；其中VTP为增强型PMOS管的开启电压；试判断该管工作状态 场效晶体管的输入电阻比双极型晶体管的输入电阻( ) 中国大学MOOC: 测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值，VDS=3V，VGS=2V，VTN=1V；其中VTN为增强型MOS管的开启电压；试判断该管工作在什么区域。 中国大学MOOC: 测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值，VDS=-3V，VGS=-1V，VTP=-1.5V；其中VTP为增强型PMOS管的开启电压；试判断该管工作在什么区域。 中国大学MOOC: 测得某MOSFET的漏源电压，栅源电压值以及阈值电压：VDS=-3V，VGS=-2V，VTP=-1V，试判断该管子工作在 区。 根据场效晶体管的工作情况可将输出特性区域分为（） 晶体管V1的=50，晶体管V2的=30，若两管组成复合晶体管，则该复合晶体管的p约为（） 三极管正常工作时，其输入电阻大，而场效晶体管输入电阻小（） 场效晶体管是利用输入电流产生的电场效应来控制输出电压的。（） P沟道结型场效应管工作时,栅-源电压vGS和漏-源电压vDS应如下配置 硅晶体管的死区电压约为V（） 结型场效晶体管的漏极和源极可调换使用。() 场效晶体管的栅极通常用字母表示（） 场效晶体管与三极管相比较，其特点为()   N沟道场效晶体管的漏极电流由（）的漂移运动形成。