当栅极、发射极间开路或加反向电压时，MOS管内形成导电沟道消失，晶体管的基极电流被切断，IGBT即关断,为全控型器件。

NPN三极管具有放大作用， 导通的必要条件是发射极加正向电压， 集电极加反向电压（） 单结晶体管的发射极与任一基极间都存在单向导电性。当发射极不导通时，两个基极间电阻为()KΩ。 当三极管集电极与发射极之间的电压U为一定值时，基极与发射极间的电压U与基极电流I之间的关系，称为三极管的（） 当三极管集电极与发射极之间的电压UCE为一定值时，基极与发射极间的电压UBE与基极电流IB之间的关系，称为三极管的（）。 晶体管输出特性曲线是：当集电极与发射极间电压保持为一个恒定之时，加在晶体管基极和发射极间电压与它产生的基极电流间的关系曲线。（） 三极管当（）开路时，在集电结加反向电压时，这时流经集电结的反向电流称为集电极反向饱和电流，用符号（）表示。 三极管当（）开路时，在集电结加反向电压时，这时流经集电结的反向电流称为集电极反向饱和电流，用符号（）表示 是三端器件，具有栅极G、集电极C和发射极E 晶体三极管基极开路时，在集电极与发射极之间的最大允许电压称为集射极的最大允许电压（） 当单结晶体管的发射极电压低于()电压时就截止。 当单结晶体管大发射极电压高于电压时，就导通（） 若使三极管工作在,须将发射极加上适当的正向电压,同时使集电极承受反向电压（） 当单结晶体管的发射极电压下降到（）电压时，就截止。 在二极管加反向电压时，会形成（）的反向电流，且反向电压不超过某一范围时，反向电流大小（）。 基极开路，集电极和发射极之间加有一定电压时的集电极电流，叫三极管的穿透电流。 三极管发射极正向偏置，集电极反向偏置处于（）状态。 三极管作电流放大时，在发射结上加正向偏置电压，在集电结上加反向偏置电压。 当三极管的集电极 - 发射极电压 UCE 超过 U (BR) CEO 时，三极管会（ ）。 当品体管接成共发射极电路，在静态时（ ）的比值称为共发射极静态放大系数。 稳压二极管工作时加的是反向电压，撤去反向电压后，稳压二极管不具有单向导电性。()