场效应晶体管是一种电压控制的半导体器件，是单极型半导体器件。

电力场效应晶体管MOSFET是理想的()控制器件。 场效应晶体管的控制方式是()。 双极型晶体管和场效应晶体管的控制信号为()。 结型场效应晶体管可分为（）。 场效应晶体管可用于（）。 绝缘栅双极型晶体管的本质是一个场效应晶体管（） 场效应晶体管是由控制漏极电流的 场效应晶体管是用（）控制漏极电流的 场效应晶体管与晶体管有何不同？ （）是耗尽型场效应晶体管的一个重要参数。 双极型晶体管和场效应晶体管的驱动信号为（） 绝缘栅型场效应晶体管可分为（） 的本质是一个场效应晶体管（） 功率场效应晶体管一般为()。 绝缘栅双极型晶体管的本质就是一个场效应晶体管（） 电力场效应晶体管MOSFET()现象。 电力场效应晶体管MOSFET（）现象。 场效应晶体管的栅源电压变化可以控制漏电流变化。（） 场效应晶体管的栅源电压变化可以控制漏电流变化（） 晶体管和场效应管的根本区别在于：晶体管是电流控制型器件，场效应管是电压控制型器件