（）是耗尽型场效应晶体管的一个重要参数。

场效应晶体管的控制方式是()。 功率场效应晶体管一般为()。 描述场效应晶体管的输入特性的主要参数是（） 电力场效应晶体管属于双极型器件。 电力场效应晶体管是理想的（）控制型器件 电力场效应晶体管MOSFET()现象。 电力场效应晶体管MOSFET（）现象。 电力场效应晶体管MOSFET是（）器件。 场效应晶体管控制晶闸管（MCT）还有一个重要特性：即使关断失效，器件也不会损坏。 功率场效应晶体管的三个引脚符号为（）。 晶体管属于_______控制器件，场效应晶体管属于_______控制器件 功率场效应晶体管是单极性器件，属于电流控制型。 电力场效应晶体管(MOSFET)有哪些特点? 场效应晶体管的输入电阻可高达（）。 场效应晶体管的输入电阻可高达（）。 晶体管是电流控制型半导体器件，而场效应晶体管则是电压型控制半导体器件（） 晶体管是电流控制型半导体器件，而场效应晶体管则是电压控制型半导体器件（） 晶体管是电流控制型半导体器件，而场效应晶体管则是电压型控制半导体器件。 场效应晶体管是用（）控制漏极电流的 场效应晶体管是由控制漏极电流的