采用QS1电桥（西林电桥）测量tanδ，反接线时电桥的三根引线应按试验电压对地绝缘，对接地物体保持一定的绝缘距离，一般不小于（）

采用QS1电桥测量tan6反接线时电桥的三根引线应按试验电压对地绝缘对接地物体保持一定的绝缘距离，一般不小于（C125mm）（） 在相同条件下，用QS1型西林电桥测量小电容试品的tanδ和C时，用正接线方式和反接线方式测量的结果是完全相同的（） 西林电桥采用正接线和反接线时原理相同（） QSl型西林电桥反接线时电桥桥体处于高电位。( ) 简述5件QS1型西林电桥内部的主要元件。 写出5件QS1型西林电桥内部的主要元件。 QS1电桥包括升压试验设备、QS1电桥桥体及（A标准电容器）（） 用QS1型西林电桥测tgδ时的操作要点有哪些？ 西林电桥采用正接线及反接线时，其测试原理（A相同）（） 用QS1型西林电桥测tgδ时的操作要点具体有哪些？ QS1电桥主要包括升压试验设备、QS1电桥桥体及标准电容器三部分。 测量tgδ常用QS1电桥是按（）刻度的 在相同条件下，用QS1型西林电桥测量小电容试品的tgδ和C时，用正接线方式和反接线方式测量的结果是完全相同的（） 西林电桥只允许反接线的情况 。 西林电桥只允许反接线的情况（） QS1电桥主要包括三部分（） 变压器外壳在运行中直接接地，所以现场测试时采用QS1型西林电桥( )。 用QS1型西林电桥测tgδ，消除电场干扰的方法有哪些？ 用QS1型西林电桥测tgδ，消除电场干扰的方法有哪些 试品电容量15000pF，使用QS1型西林电桥，施加10kV测量其tgδ时，电桥分流器位置宜选定在（ ）档位置。