QS1电桥主要包括升压试验设备、QS1电桥桥体及标准电容器三部分。

测量tgδ常用QS1电桥是按（）刻度的 现场测试中，使用QS1电桥测tgδ%，下列设备哪些适合正接线（） 用QS1型西林电桥测tgδ时的操作要点有哪些？ 用QS1型西林电桥测tgδ，消除电场干扰的方法有哪些？ 用QS1型西林电桥测tgδ时的操作要点具体有哪些？ 采用QS1电桥测量tanδ，正接线比反接线准确度低（） 用QS1型西林电桥测tgδ，消除电场干扰的方法有哪些 采用QS1电桥测量tanδ的接线方式一般有差接线及和接线。 采用QS1电桥测量tanδ的接线方式一般有差接线及和接线（） 与QS1电桥配套的标准电容量其技术条件规定为：工作电压为（）kV。 采用QS1电桥进行反接线测试tanδ，其工作电压不可超过10kV。 采用QS1电桥测量t对nδ正接线比反接线准确度低（） 采用QS1电桥测量tan6正接线比反接线准确度低（） 使用QS1电桥测量tgδ时，接通或断开电源时，检流计灵敏度应在（） 用QS1交流电桥测量介损tgδ出现负值的主要原因是磁场干扰。 用QS1交流电桥测量介损tgδ出现负值的主要原因是磁场干扰（） QS1电桥在电源极性转换时，必须将试验电压降至（）伏后，再转换极性。并应逐步升高电压。 合上QS1型西林电桥的检流计电源开关后，检流计无显示的原因与（）无关。 变压器外壳在运行中直接接地，所以现场测试时采用QS1型西林电桥( )。 使用QS1西林电桥进行介质损耗因数测量时，对任何电压等级的电气设备，试验电压一般取10kV。