晶体管的高频特性可以用截止频率、特征频率以及最高振荡频率进行描述。

晶体管的饱和和截止特性称为晶体管的（）特性。 高频静电感应晶体管（SIT）比绝缘栅双极性晶体管（IGBT）适用的频率更高（） 电力晶体管的开关频率（）电力场效应晶体管的开关频率（） 若单位反馈系统具有低频高增益高频低增益的特点，其闭环截止频率与开环截止频率基本相同（） 高频静电感应晶体管（SIT）比绝缘栅双机型晶体管（IG-BT）适用的频率更高（） 改变单节晶体管触发电路的振荡频率一般采用（） 改变单结晶体管触发电路振荡频率一般采用（） 双轨高频重塑的第一截止频率为（） 改变单结晶体管触发电路的振荡频率一般采用（）。 晶体管接近开关用量最多的是高频振荡型（） 如图所示，图示电路的下限截止频率fl和上限截止频率fh分别为（） 三极管中特征频率是指（） 电力晶体管的开关频率（）电力磁场效应管的开关频率 用晶体管图示仪测量晶体管时，调节可以改变特性曲线簇之间的间距（） 单结晶体管触发电路，改变充电电阻RP的大小就可以改变张弛振荡电路的频率。() 单结晶体管的振荡电路是利用单结晶体管发射特性中的（） 低通滤波器的通带截止频率一定低于高通滤波器的通带截止频率（） 截止频率是开环频域指标 对分频滤波器的要求为在截止频率附近，衰耗的频率特性变化应该（）。 在对连续信号均匀采样时若采样角频率为Ωs，信号最高截止频率为Ωc，则折叠频率为（）