绝缘栅双极晶体管(IGBT)的开关特性与功率MOSFET类似，区别在于（）。

绝缘栅双极晶体管IGBT将MOSFET和（）的优点集于一身。 关于绝缘栅双极晶体管开关速度，表述正确的是（） 绝缘栅双极晶体管特点有（） 绝缘栅双极晶体管具有（）的优点。 门极可关断晶闸管，大功率晶体管，功率场效应晶体管，绝缘栅双极晶体管按顺序用英文缩写表 绝缘栅双极晶体管IGbT是一种复合型器件，它是由复合而成的（） 要使绝缘栅双极晶体管导通，应()。 绝缘栅双极晶体管属于()控制元件。 绝缘栅双极晶体管的开关速度比电力场效应管的（） 绝缘栅双极晶体管的开关速度比电力场效应管的()。 绝缘栅双极晶体管属于半控型器件 绝缘栅双极晶体管属于电流控制元件 下面哪个是绝缘栅双极晶体管的简称（） GTO代表可关断晶体管,GTR代表,IGBT代表绝缘栅晶体管（） 80年代出现了绝缘栅双极晶体管IGBT，它是一种电压控制的全控型开关元器件（） 绝缘栅双极晶体管的本质是一个（）。 绝缘栅双极晶体管的导通与关断是由()来控制。 绝缘栅双极晶体管（IGBT）开关速度高，开关损耗小，具有耐脉冲电流冲击的能力，通态压降较低，输入阻抗低，为电压驱动，驱动功率大（） 绝缘栅双极晶体管（IGBT）开关速度高，开关损耗小，具有耐脉冲电流冲击的能力，通态压降较低，输入阻抗低，为电压驱动，驱动功率大（） 斩波器中的绝缘栅双极晶体管工作在开关状态。